山东省碳化硅材料重点实验室（以下简称实验室）由国内碳化硅半导体材料龙头企业山东天岳先进科技股份有限公司与齐鲁工业大学（山东省科）联合组建，成立于2020年，2024年获批重组筹建。

实验室瞄准碳化硅半导体材料领域国际学术前沿开展基础理论与应用研究，以解决碳化硅半导体材料大规模应用面临的制备效率低下和成本高昂的问题，同时研究碳化硅半导体器件批量制备工艺，支撑半导体器件量产，推动碳化硅半导体财产创新。

实验室凝聚了一支具有不同学科背景的研究队伍，包括材料学、化学、半导体物理等专业业，并且逐步形成了交叉融合、特色鲜明的优势学科方向。近年来，围绕极高温环境下的碳化硅生长多组分气相流场传输和反应模型与理论，碳化硅单晶缺陷形成和演化物理机制，碳化硅晶体内应力发生和控制原理，碳化硅同质外延生长动力学，外延过程中杂质与缺陷行为，载流子输运与表面界面散射机理等进行深入研究，开发了提高碳化硅基器件载流子迁移率的新结构和新方法，形成了鲜明的研究特色，并取得了突出成果。

实验室聚焦碳化硅前沿技术开发、财产技术攻关，培养和招引行业高端人才，引领碳化硅半导体财产高速发展，占据新的科技竞争高地，促进实现我省高质量快速发展目标。